小型烘箱的用途很广，在很多的实验中也都有用到，今天就讲一讲小型烘箱在光刻过程中的应用!
1、涂层光刻胶
在硅晶片表面的涂层中，将粘合剂或硅晶片放置在惰性气体中进行热处理。这个过程是为了增加光致抗蚀剂和硅晶片之间的粘附力，防止开发的时间和防止腐蚀的湿过程。
使用胶的抗蚀剂。首先，用真空法把硅天花板在甩胶机上抽油，会有一定的粘性光致抗蚀剂的表面上的鬼，然后时间来设置的速度和旋转涂层。由于离心力，光致抗蚀剂的表面被均匀地分散，并除去多余的光致抗蚀剂，并获得了一定厚度的光刻胶膜。抗蚀剂的厚度控制的抗蚀剂的粘度和橡胶的速度!
2、预干燥
由于溶剂的抗蚀剂，在80摄氏度的硅晶片，涂有抗蚀剂是干的。微波炉是一种惰性气体，和干燥时间通常是15-30分钟从光刻胶去除剂。
3、掩模对准
由于集成电路制造的过程是一个逐层处理的过程，每个层的位置不能被移位，使掩模板和晶片可以在晶片上对准。
4、曝光
高压汞灯g线(436nm)或我行(波长365nm)照射在感光胶在硅片上的掩模，使光刻胶是从相同的光敏图案作为掩模图形得到!
5、发展
在将硅晶片暴露于特定的显影液中浸泡后，将所暴露的部分溶解，然后将图像复制到光致抗蚀剂上，显影液对显影液进行显影液!
6、干燥后
为了完全蒸发的残余的有机溶液中的光致抗蚀剂，提高粘接性能和抗腐蚀性能，硅晶片被放置在一个小炉120-200摄氏度，和硅晶片放置在温度为120度到200度的干燥20-30分钟。
